5LN01C-TB-H

产品描述

MOSFET N-CH 50V 100MA CP

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规格书	5LN01C
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压（VDSS）	50V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	100mA
Rds（最大）@ ID，VGS	7.8 Ohm @ 50mA, 4V
VGS（TH）（最大）@ Id	-
栅极电荷（Qg）@ VGS	1.57nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	6.6pF @ 10V
功率 - 最大	250mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	3-CP
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Logic Level Gate, 2.5V Drive
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	100mA (Ta)
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装	3-CP
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	7.8 Ohm @ 50mA, 4V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	250mW
标准包装	3,000
漏极至源极电压（Vdss）	50V
输入电容（Ciss ） @ VDS	6.6pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS	1.57nC @ 10V
安装风格	SMD/SMT
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	0.1 A
RDS（ON）	7.8 Ohms
功率耗散	0.25 W
漏源击穿电压	50 V
RoHS	RoHS Compliant
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50 V
晶体管类型	1 N-Channel
系列	5LN01C
品牌	ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current	100 mA
通道数	1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	7.8 Ohms
Pd - Power Dissipation	250 mW
技术	Si

型号	厂家	产品描述
5LN01C-TB-E	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin CP T/R
5LN01M-TL-H	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin MCP T/R
5LN01S-TL-E	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP
5LN01SP-AC	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SPA T/R
5LN01SS-TL-E	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SSFP T/R
5LN01SS-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

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